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重庆邮电大学成功研发第三代半导体氮化镓功率芯片

来源:科技最前线作者: 日期:2020-11-19 浏览:

   据重庆日报报导,现在,重庆邮电大学实验室已成功研制第三代半导体氮化镓凯时官网下载功率芯片。     重庆邮电大学光电工程学院副教授黄义泄漏,“现在,实验室已成功研制第三代半导体氮化镓功率芯片,这也是___功率半导体、轿车电子工业开展的新式方向。”据悉,第三代半导体功率芯片首要运用在轿车电子、消费电源、数据中心等方面,具有体积小、效率高、用电量少等特色。     “这款功率半导体芯片电量能节约10%以上,面积是硅芯片的1/5左右,开关速度提高10倍以上。”黄义泄漏,现在该项目现已到了试验性运用阶段,未来有望在各种电源节能范畴和大数据中心运用。

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