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日韩贸易争端引7月份DRAM现货价反弹 研调单位仍保守看合约市场

来源:作者: 日期:2019-08-20 浏览:

6月东芝停电事件,加上7月开始日韩贸易战延烧,推动了已跌到亏损流血的凯时娱乐下载NAND Flash现货价率先反弹,结束了2年多来的空头走势,此波存储器价格由NAND Flash先起涨,接下来日韩贸易战加入下,DRAM在7月份现货价也开始反弹。

整体来看,对市场价格较敏感的通路商开始拉货,推动部分比较受惠于现货市场的存储器模组厂商营运也明显反弹;但在合约市场部分,由于合约市场走向仍是取决于整体供需状况,又因日韩贸易战管控的半导体材料并非完全禁止出口,再加上需求面没有太大改善,所以合约市场是否可以开始开启一波多头走势则仍待观察,日韩贸易战若双方关系更趋于紧张导致实质影响供给,才较有机会助整体市况改善。

日韩贸易争端引7月份DRAM现货价反弹 研调单位仍保守看合约市场

现货市场DRAM/NAND Flash价格反弹

由于东芝停电事件影响所及,造成此波NAND价格正式于6月落底反弹,再加上供给端一直有受到控制,近期又加上SK Hynix宣布减产,推动现货市场率先反弹,此波反弹以拥有较多现货的存储器模组厂商威刚率先发难,甚至宣布管控出货,采用优先出货大客户的方式来控管,威刚董事长陈立白认为,这一波存储器的反弹不会是暂时性短暂的,下游的库存在这一波空头后都已压到很低,现在则回头再来备安全库存。事实上,DRAM现货价在8月份仍是向上走势。

DRAM现货价自底部到最高峰价约反弹5成水准,陈立白表示,短期内日韩贸易战纷扰不易解决,恐影响韩国存储器厂全产能量产,加上上游原厂也纷纷宣布减产或延后资本支出和设备投资,这一波反弹格局可达11月。

而在NAND的部分,均价于2017年11月起迄今已历经相当长时间的跌势,价格已贴近厂商现金成本,且已长期压在不合理的流血价,相对在东芝跳电影响下,估约影响全球10%的NAND产能,推动NAND Flash主要厂商都在第一时间同步调涨价格,8月现货价格持续反弹。

研调单位仍保守看合约市场

对于日韩贸易战的影响,研调机构TrendForce表示,日韩原物料事件虽带动DRAM现货市场价格出现反弹,但现货市场的规模小,无法有效去化原厂的高库存,加上终端需求仍然疲软,7月合约价格持续走跌。

宇瞻总经理张家騉则认为,合约市场占整个DRAM 9成的量,以目前即便日本把韩国踢出贸易白名单,也只是延后出货日本的半导体关键材料,不代表会断链,但以合约价在往下走的状况来看,目前堆库存都是不智之举。

TrendForce表示,现阶段并未因贸易战而阻断了存储器的生产,而合约价的议定在于供需的基本面,在产出目前尚未受到影响的情况下,合约市场并未见到支撑价格的明显力道,未来整体合约市场存储器的走势,仍要观察贸易战的延烧状况,若真的动摇到生产,整体存储器产业的供需则有机会较为改善。